一、高流速,低壓力和清洗頻率
(1)清洗的流速
裝置運行時,附著性高的粒子狀污染物逐漸堆積在膜表面。如果清洗時的流速與運行時的流速相等或更低,則很難把這些污染物從膜元件中清洗出來。
(2)清洗壓力
正常高壓運轉時,壓力直接垂直作用膜面,使進水透過膜面得到產水,同時污染物也被壓向膜面。所以在清洗時,如果采用同樣的高壓,則污染物被積壓在膜表面,清洗的效果就會降低。清洗時盡可能的通過低壓,高流速的方式,增加水平方向的剪斷力把污染物沖岀膜元件。
(3)清洗頻率條件允許的情況下,建議經常對系統進行清洗。增加清洗的次數比延長1次清洗的時間更為有效般清洗的頻率。
(3)化學清洗:主要是通過化學藥劑對濾膜進行清洗,所以要選擇適宜的化學藥劑。
二、因素:
(1)首先要與設備制造商、R0膜元件廠商R0特用化學藥劑及服務人員取得聯系。確定主要的污染物,選擇合適的化學淸洗藥劑。
(2)有時針對某種特殊的污染物或污染狀況,要使用RO藥劑制造商的專用化學淸洗藥劑,并且在應用時,要遵循藥劑供應商提供的產品性能及使用說明。
(3)特殊情況下可針對具體情況,從反滲透裝置取岀已發生污染的單支膜元件進行測試和清洗試驗,以確定合適的化學藥劑和清洗方案。
三、EDI模塊清洗操作步驟:
1.濃水室結垢清洗;
2.記錄清洗前所有數據;
3.分離EDI膜塊與其他設備的連接管路;
4.連接清洗裝置(見清洗流程圖),使清洗泵通過濃水管路進入EDI膜塊再回到清洗水箱,濃水進、出水閥開啟,關閉EDI淡水進水閥和產水閥;
5.在清洗水箱配置2%濃度的鹽酸清洗液;
6.啟動清洗泵,調節濃水進水閥,以規定的流量循環清洗(酸洗步驟)。(參見附表)停止清洗泵,排空清洗水箱清洗廢液,分離濃水排水閥至地溝;
7.向清洗水箱連續注入清水(RO產水),啟動清洗泵連續清洗(沖洗步驟);
8.打開EDI進水閥和產水閥,同時對兩個水室進行沖洗;
9.檢測濃水出水側的水質,直至與進水側電導率相近;
10.各個閥門,恢復原始各設計流量數據;
11.恢復EDI各個管路與其他系統的連接;
12.開啟PLC控制柜電源,向EDI膜塊送電,轉入正常運行,并作好初次運行的數據記錄。